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質(zhì)量管理
國毓半導(dǎo)體─打造國際專業(yè)的電子芯片供應(yīng)商
RoHS聲明產(chǎn)品可靠性REACH 聲明不使用沖突地區(qū)域礦物源申明
芯片級可靠性驗證要求(主要用于考寨芯片設(shè)計及晶圓代工廠能力)
項目 參照標(biāo)準(zhǔn) 條件 抽樣標(biāo)準(zhǔn) 允收標(biāo)準(zhǔn) 備注
高溫反偏(HTGB) JESD22-A108 80% Vgs,Vds=0V, 150C,
168/500/1000hrs
LTPD3% 77ea,
FTO fail
僅功率器件執(zhí)行此測試
高溫反偏(HTRB) JESD22 -A108 Vgs=0V, 80%Vdss, 150'C,
168/500100hrs
L.TPD3% 77ea,
FT 0 fail
僅功率器件執(zhí)行此測試
靜電放電一人體模式(ESD-HBU) JS001 Pass3KV 3ea,
0 fail
客戶有要求時做,通用品不用做

封裝器件級可靠性驗證要求(主要用于考察封裝能力)
項目 參照標(biāo)準(zhǔn) 條件 抽樣標(biāo)準(zhǔn) 允收標(biāo)準(zhǔn) 備注
前處理(PC) JESD22 A113 30C/60%RI, 192hrs,
Ir-reflow x3
23lea,
FT 0fail(SAT 77ea)
僅貼片元器件做,插件不用做
溫度循環(huán)測試(TCT) JESD22 -A104 -65C/~ 150'C/15min,
500cycles
LTPD3% 77ea,
FT 0fail
貼片元器件需要先做前處理(PC)
高壓蒸煮試驗(PCT) JESD22 A102 121010005R1, Vee (Max),
96hrs
L.TPD3% 77ea,
FT 0fail
貼片元器件需要先做前處理(PC)
高溫儲存測試(IHITSL) JESD22 -A103 150C, 168/500/1000hrs LTPD3% 77ea,
FT 0fail
貼片元器件需要先做前處理(PC)
可焊性測試(ST) JESD22 -BI02 steam aging 8hrs,
245 C, 5ec
LTPD3% 5ea,
沾錫0fail
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